如果三家供应商要给同一台机器提供关键零件，客户最省事的办法，是让它们都按同一套图纸和工艺生产。英伟达据报正在对下一代高带宽内存这样做：即使供应商是三星、SK Hynix或Micron，关键部件也要采用台积电（TSMC）的制程。值得看的不只是三星向竞争对手借技术，而是英伟达如何借定制标准重新安排整条AI芯片供应链。
目前信息主要来自媒体转述，尚无Samsung、TSMC或Nvidia的官方确认。
三星为何要用对手的工艺？
据Reuters转述《首尔经济日报》，三星将使用TSMC的3纳米制程，为Nvidia下一代定制高带宽内存NVHBM生产base die。
高带宽内存（HBM）是把多层DRAM垂直堆叠，再用宽接口连接处理器，让AI芯片更快搬运数据。base die即“基础裸片”，位于整座内存堆叠的底部，负责接口、控制以及与GPU连接等逻辑功能。它越来越像一颗按客户要求设计的专用逻辑芯片，而不只是普通内存的底座。
这里的“3纳米”是先进制造工艺的代际名称，并不意味着芯片里的每个结构都恰好宽3纳米。报道所指的是，Nvidia要求三星、SK Hynix和Micron统一使用TSMC工艺制造NVHBM的基础裸片，同时让核心裸片采用第六代DRAM技术。
据The Information报道，这样做是为了让不同供应商的产品保持性能一致，并简化Nvidia的验证流程。三星据报已经接受要求。这也将是三星首次在HBM制造阶段使用其主要晶圆代工竞争对手TSMC的技术。
真正稀缺的是稳定产出
这项安排背后是下一代HBM的良率压力。良率指一片晶圆上合格芯片所占的比例，直接决定成本和可供货数量。HBM需要把多层芯片堆在一起，任何一层或一道连接出现缺陷，都可能拖累整颗产品的产出。客户若再允许各家采用不同基础裸片工艺，验证和适配会更复杂。
统一到TSMC平台，相当于先把底座规格固定下来，再让多家内存厂竞争上层产品和供货能力。对Nvidia而言，这既降低验证成本，也减少不同供应商产品难以互换的麻烦。
从“全套自产”到客户指定
三星过去的一项优势，是同时拥有存储、逻辑晶圆代工和先进封装能力，可以尽量把HBM制造留在自家体系内。但Reuters与TechRadar的材料显示，Nvidia主导的定制路线正在削弱这种垂直整合的吸引力：客户指定统一平台时，“什么都能自己做”未必比“完全符合客户标准”更重要。
这种变化也带有追赶意味。据Reuters报道，三星早在2016年便宣布量产业界首款4GB HBM2封装；生成式AI兴起后，SK Hynix却率先成为Nvidia的关键供应商，三星的HBM3与HBM3E又因发热、功耗等问题迟迟未通过测试。2024年10月，三星半导体负责人Jun Young-hyun还曾因业绩不及预期公开致歉。
我们此前关注过高利率和AI投资回报疑虑引发的芯片股回撤。这次变化把视线进一步推向产业链内部：Nvidia不再只是采购标准内存，而是在反向规定制程、组件和验证规则。三星是否最终赢得订单尚不明确，但供应商愿意采用竞争对手的工艺，本身已经说明议价权正在向定义系统标准的一方集中。
局限与未知
- 现有材料没有披露合作规模、量产时间、良率或订单金额。
- “三星争抢或已经获得Nvidia订单”尚无材料支持，不能视为既成事实。
- 具体TSMC工艺版本、合作方式及三家公司是否正式签约，仍待官方确认。