AI芯片不只要把电路做得更细，还要设法做得更大、更复杂。像拼一张精密地图：画得越细越难，版面超过单次覆盖范围后，还得把两块图严丝合缝地接起来。ASML的新一代High-NA EUV——通过提高数值孔径、投射更精细电路图形的极紫外光刻设备——正被三家头部芯片制造商押注，说明竞争已从制程节点延伸到大尺寸裸片和先进封装。
据Nikkei Asia报道，Intel称已用这款设备量产，Samsung计划最早于2028年采用，台积电则准备从2030年开始使用。High-NA EUV的难点是：现有6英寸掩模下，单次曝光视场只有传统EUV的一半，较大裸片可能需要精确拼接两个曝光区域；更大掩模方案则希望恢复完整视场，减少拼接并提高生产率。三家公司节奏不同，但方向一致：AI算力扩张正在同时推高精细制程、大芯片制造和封装协同的门槛。现有材料未披露设备价格、具体产线与量产规模。